寶存科技攜定制化新品亮相2019美國閃存峰會

發布時間:2019-09-04

當地時間8月6日至8日,美國閃存峰會(Flash Memory Summit)在Santa Clara如期舉行。作為專業的閃存存儲技術研發公司,寶存科技攜Open Channel SSD, Key-Value SSD和基于XL-FLASH的NVMe SSD亮相本次峰會。

 

亮點一:Open Channel SSD應用成果分享

寶存科技的Open-Channel技術已經在行業率先應用。對此,寶存科技技術總監徐偉就產品在業內的實踐應用在ARCH: Open-Channel SSDs for Host-Based Optimization環節做精彩分享,與在場各個主流Open-Channel實踐組織/公司交流了寶存科技在內核態(Kernel Mode)Open-Channel的多個特性實現及收益。寶存的Open-Channel方案中將持續開放,除已有的可以供客戶直接應用的特性外,寶存將在內核態接口、用戶態接口及應用程序接口做更多的開發,方便客戶對接更多應用,充分從Open-Channel SSD中受益。

 

亮點二:展示KV解決方案

基于Open-Channel架構,寶存科技結合KV技術,推出Key-Value SSD。

峰會現場,寶存科技Chief Engineer苗寧忠和大家分享了Key-Value SSD的設計原理和應用案例。Key-Value SSD提供兼容RocksDB的接口,方便大家把基于RocksDB的應用程序移植到Key-Value SSD上。相對于RocksDB, Key-Value SSD設計架構簡潔,避免了很多冗余的操作,所以性能有數量級的提升。

 

亮點三:與東芝合作展示基于XL-FLASH存儲產品

此外,繼去年在FMS上推出3D XL-FLASH閃存后,東芝與寶存科技合作,在本次峰會現場展示基于東芝XL-FLASH的存儲產品,并在東芝展位搭建測試環境做現場體驗。

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XL-FLASH的低讀延遲特性,讓基于XL-FLASH的NVMe設備具有低至35微秒的讀延遲。在MariaDB對比展示中,隨機查詢SQL語句較TLC產品降低50%延遲。

另外,XL-FLASH具有至少50K的P/E Cycle,適用于重寫入量的業務。在同時需要讀延遲和寫壽命的應用場景下,可以與3D-XPoint一較高下。

 

隨著閃存技術的不斷發展,寶存科技也將不斷前行,共筑閃存芯未來。

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